TECDIA捷科泰亞股份有限公司

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SiC(碳化矽)晶圓片因材質問題而難以進行晶粒化加工。
這裡介紹鑽石切割技術的翹楚-「捷科泰亞」所提出的解決方案。

碳化矽是現今最受矚目的素材。被用於開發各種新元件,並打算進行大量生產。但是,現今的晶粒化技術,還無法將碳化矽晶粒進行大量生產。捷科泰亞一向自詡是「切割業界的翹楚」故投入現有技術來解決這個問題。

需求

要以既存的技術將碳化矽晶圓片晶粒化有重重的困難。

SiC(碳化矽)是目前地球上第三硬的化合物。新莫氏硬度為13,僅低於鑽石(新莫氏硬度15)及碳化硼(新莫氏硬度14)。由於碳化矽硬度極高,若以傳統Dicing進行切割,生產效率極低,同時晶粒品質不佳。而雷射切割則有粉塵、設備成本極高、光源不穩定等問題。

因此碳化矽晶粒想要從研發階段邁向量產階段,就必須先解決切割技術的問題。

解決方案

試著以鑽石切割技術來解決這個問題。

捷科泰亞以專精的鑽石切割技術試著找出問題的突破口。並同時研發最適合研發中鑽石切割刀的設備。並對碳化矽晶圓片進行試割後,成功達到量產標準。鑽石切割技術能以高效率生產高品質的碳化矽晶粒。

只有能自行研發生產鑽石切割刀和鑽石切割設備的捷科泰亞,才能解決這個問題。

重點

達成客戶提出的「目標」,及本公司的商品客製化能力。

我們成功的將客戶提供的樣品進行切割,並且詢問客戶「最想得到怎樣的結果」並應用本公司的製造技術及客製化能力將其實現。成為採用最大的重點。

鑽石切割價格低於雷射切割,同時生產效率與品質遠高於傳統Dicing,最適合進行SiC晶粒的大規模生產。

結果

在本公司內進行試割成功,今後也將隨SiC元件市場的擴大共同成長。

客戶情報

【客戶業別】電機機械・輸送用設備・電力相關
【業務內容】製造電子零件

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