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長方形電容

半導體的技術改革而備受關注的氮化鎵

隨著5G通訊的高速發展,帶動了半導體的技術革新。目前大宗使用的半導體材料Si(矽),已漸漸地被GaN(氮化鎵)和SiC(碳化矽)所取代。在通信基地中,為了能支持高速通訊並有效的控制用電量,現今已開發出具有低功耗和高輸出的GaN晶粒。 捷科泰亞新開發的「長方形電容」能更簡單的與GaN晶粒匹配,為通信市場做出了貢獻。

需求

導入前的情況.問題

市場需要與GaN晶粒尺寸匹配的單層陶瓷電容

解決方案

解決方案

顛覆傳統製造長寬比為1:6的長方形電容

重點

評估理由

採用客戶建議的產品設計與打破傳統的製造技術

結果

結果與狀況

縮短封裝製程和降低成本

需求導入前的情況.問題

市場需要與GaN晶粒尺寸匹配的單層陶瓷電容

在GaN晶粒與陶瓷電容打線時,由於GaN晶粒的輸出功率非常大,為了能與其相批配,一般會用金線調整,由於市場上的GaN晶粒都是以長方形為主,所以需要與GaN晶粒尺寸相匹配的單層陶瓷電容,但是單層陶瓷電容在製作上有長寬比的限制,所以要生產一個與其尺寸能匹配的電容並非簡單的事。

▲目前為止的匹配方法。必須使用數個電容與其匹配。

解決方案解決方案

使用「長方形電容」可減少組件使用

捷科泰亞製造了長方形單層陶瓷電容器,使能與GaN晶粒的尺寸匹配。一般來說電容的長寬比為1:3,但以1:6的比例進行製造的話,就不再需要佈置多個單層陶瓷電容器,可減少了組件數量和安裝時間,進而降低成本。

重點評估理由

採用客戶建議的產品設計與打破傳統的製造技術

將單層陶瓷電容单設計為長方形會在製造上帶來諸多問題,例如在切割製程中容易斷裂,金層容易脫落等,捷科泰亞特有的加工技術能有效控制切割製程的斷裂問題,並在表面金層留邊,解決金層脫落問題。另外,產品可能在加熱中會有熱膨脹而翹曲斷裂的疑慮,我們採用客戶的建議,並將背面改為無鍍金設計。

結果結果與狀況

無需安裝多個單層陶瓷電容,進而縮短了封裝製程並降低成本

客戶情報

【客戶業別】微波通信業

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