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薄膜回路基板

客戶可設計需要的回路,例如在立體的基板上製作超細回路或側邊的回路。
透過實際的安裝,我們可提供生產到安裝一步到位的薄膜回路基版。

設計一覽

規格

  單位 氧化鋁(Al2O3) 氮化鋁(AlN)
99.6%(標準) 170W/mK(標準)
厚度 mm 0.254 / 0.381 / 0.508 / 0.635
(最小: 0.10 最大: 1.30)
厚度公差 mm 0.013
尺寸 最大 mm 10.0 × 10.0
最小 mm 0.25 × 0.25
表面粗糙度 正面 Ra μm (μ") Polish 0.025 (0.001) Polish 0.051 (0.002)
背面 Ra μm (μ") Polish 0.025 (0.001) Polish 0.051 (0.002)
薄膜層 電極層 - Ti - Pt - Au
膜厚 標準 μm Au: 0.10 - 5.00
Pt: 0.15
Ti: 0.06
Au: 0.10 - 3.00
Pt: 0.15
Ti: 0.06
電阻 電阻層 - 氮化鉭(TaN)
抵抗 Ω/sq 25 / 50 / 75 / 100
溫度特性 ppm/℃ -100 ± 50
AuSn 組成比 % Au : Sn = 80 : 20 (Nominal)
厚度 μm 3.00 - 7.00
線寬&大小 mm 標準 0.025 / 0.025  最小 0.01 / 0.01
留邊 mm 標準 0.03

*其它材料與規格請與我們聯繫

材料特性

氧化鋁基板

項目 項目 規格
顏色 - White
含量 % 99.6
密度 g/㎝2 3.88
導熱係數 W/m・K 26.9
熱膨張係數 X10-6 /℃ 25 ~ 300℃ : 7
25 ~ 600℃ : 7.2
介電常數ε @1MHz 9.9
介電損耗 @1MHz 0.0001
電阻率 Ω・cm 25℃ : >1.0x1014
100℃ : >1.0x1014
300℃ : >1.0x1014

氮化鋁基板

項目 項目 規格
顏色 - Gray
密度 g/㎝2 3.3
導熱係數 W/m・K 170
熱膨張係數 X10-6 /℃ 25 ~ 500℃ : 4.6
介電常數ε @1MHz 8.8
介電耗損 @1MHz 0.0001
電阻率 Ω・cm 25℃ : >1.0x1014

相關連結

陶瓷載板技術(Hybrid Ceramic Technology)

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