グラウンド・ブロック
グラウンドへの接続やワイヤーの長さ調整に使用するグラウンド・ブロック。 セラミックながらインピーダンス特性に優れ、実装時の接着剤の這い上がりを抑制します。高周波、光通信部品との併用も可能です。カスタマイズもご相談下さい。
表面 |
Ti – Pt – Au |
裏面 |
Ti – Pt – Au |
| 型番 | サイズ(mils) L × W × t |
サイズ(mm) L × W × t |
| TGB025013015 | 10 × 5 × 6 | 0.25 × 0.13 × 0.15 |
| TGB025025015 | 10 × 10 × 6 | 0.25 × 0.25 × 0.15 |
| TGB025013025 | 10 × 5 × 10 | 0.25 × 0.13 × 0.25 |
| TGB025025025 | 10 × 10 × 10 | 0.25 × 0.25 × 0.25 |
| TGB050013015 | 20 × 5 × 6 | 0.50 × 0.13 × 0.15 |
| TGB050025015 | 20 × 10 × 6 | 0.50 × 0.25 × 0.15 |
| TGB050050015 | 20 × 20 × 6 | 0.50 × 0.50 × 0.15 |
| TGB050013025 | 20 × 5 × 10 | 0.50 × 0.13 × 0.25 |
| TGB050025025 | 20 × 10 × 10 | 0.50 × 0.25 × 0.25 |
| TGB050050025 | 20 × 20 × 10 | 0.50 × 0.50 × 0.25 |
| パラメータ | 仕様 (mils) | 仕様 (mm) |
| 長さ: L | 10 – 79 | 0.25 – 2.00 |
| 幅: W | 5 – 79 | 0.13 – 2.00 |
| 厚み: t | 3 – 25 | 0.08 – 0.63 |
| 抵抗率 | 1.18 × 10-3 Ω・in nominal | 3 × 10-5 Ω・m nominal |
お客様の希望する仕様に合ったセラミック製品を検索できます。下のタブから希望する製品、仕様を選択してください。
検索結果からスペックシートをダウンロードいただけます。
K=40～50,000の誘電体を使用した単層セラミックコンデンサ。
実装条件や要求仕様に合わせて、幅広いラインナップをご用意しています。
※範囲選択が可能です。
K=16,000を用い、小型ながら高容量値を実現したマルチ電極セラミックコンデンサ。2~4個の電極を1つにまとめました。カスタマイズ品にも対応しています。
ワイヤーボンディングタイプの薄膜チップ抵抗器。AuSn、エポキシダイボンディングに対応しています。最大抵抗定格電力は100ｍW、サイズは0.4×0.4㎜からご用意しています。
※範囲選択が可能です。
高誘電体を使用した抵抗付セラミックコンデンサ。高耐圧、優れた温度特性を持ち、はんだ付けが可能。また、AuSn、エポキシダイボンディングにも対応しています。
※範囲選択が可能です。
ギャップ型セラミックコンデンサは、長方形の単層コンデンサの表面に2つの電極を配列させたコンデンサです。電極配列面を実装することで直列接続となりワイヤーボンドでのインダクタンスを排除することが可能です。
※範囲選択が可能です。
グラウンドへの接続やワイヤーの長さ調整に使用するグラウンド・ブロック。 セラミックながらインピーダンス特性に優れ、実装時の接着剤の這い上がりを抑制します。高周波、光通信部品との併用も可能です。カスタマイズもご相談下さい。
※範囲選択が可能です。
| 製品番号 | 仕様書 | 容量値 (pF) | 容量公差 | サイズ (mil/mm) | サイズ公差 (mil/mm) | 厚み (mil/mm) | 厚み公差 (mil/mm) | 定格電圧 | タイプ | 温度特性 |
|---|
03-5765-5400
営業時間 9:00-17:45
