ワークに水も熱も与えることなく、ドライなクリーンカットができる工法として、スクライブ技術は、今日の半導体製造プロセスにおいても欠かせない技術の一つです。長年のダイヤモンド加工の経験を活かし、各種ウェハに対応するスクライブツールを取り揃えています。

 

スクライブツール紹介

 

TD-3YP SiC、サファイアウェハ用	TD-3P 半導体ウェハ用（InP他）
TD-4PB 半導体ウェハ用（Si他）・（トゥカット）	TD-420 半導体ウェハ用（GaAs他）・ガラス用（ヒールカット）
*角度についてはご指定ください。

 

カスタム品

 

TD-2P 半導体ウェハ用（トゥカット）	TD-8P スクライブ条件抽出・開発用（トゥ・ヒールカット）
*仕様についてはご相談ください。

 

スクライブツールセレクション

 

 

この表以外にも、ウェハ表面加工（エッチング有無、保護膜の材質他）、またチップサイズ（アスペクト比）など様々な状況により最適なスクライブツールが変わります。

 

スクライブカットの特長

 

ドライカット

スクライブ中に水を用いないため、水溶性の素材や静電気 他、水が原因によるチップへの悪影響がありません。

 

チップ集積率向上

一般的に、スクライブによるV溝の幅は2～5μmであるため、ウェハ当りのチップ集積率が上がり、コストダウンを計画できます。

 

クラックコントロール

スクライブカットは、スクライブで発生する内部応力を用い、そこから起きるクラックで、チップを希望通りの形状にカットすることです。このクラックを上手にコントロールするためには、ウェハに最適な刃先形状を選択することが必要です。

 

スクライブ ライン形状（TD-2P）

スクライブカット チップ断面 レーザーカット チップ断面

 

関連サイト

 

ケーススタディページ(ZnOウェハのパーフェクトスクライブの事例)

ケーススタディページ(スクライブカットによるメサ型ストリート基盤チップ化の事例)

ケーススタディページ(SiCウェハのパーフェクトスクライブの事例)

ケーススタディページ(高集積化したInPウェハの高精度スクライブ)