表面 |
TiW – Au |
裏面 |
TiW – Pt – Au, TiW – Au |
型番 | 各アレイパッドの 容量値コード |
マウント済容量値 | サイズ(mils) L × W |
サイズ(mm) L × W |
誘電材 |
AMG0R5B1AG-TA | 0R5 | 0.25 | 12 × 24 | 0.3 × 0.6 | K = 140 |
BMG0R5B1AG-TA | 0R5 | 0.25 | 12 × 24 | 0.3 × 0.6 | K = 140 |
AMG5R0K2AG-FK | 5R0 | 2.5 | 12 × 24 | 0.3 × 0.6 | K = 1,600 |
BMG5R0K2AG-FK | 5R0 | 2.5 | 12 × 24 | 0.3 × 0.6 | K = 1,600 |
AMG150K2BG-FK | 150 | 7.5 | 20 × 33 | 0.5 × 0.85 | K = 1,600 |
BMG150K2BG-FK | 150 | 7.5 | 20 × 33 | 0.5 × 0.85 | K = 1,600 |
AMG250K2BG | 250 | 12.5 | 20 × 33 | 0.5 × 0.85 | K = 2,800 |
BMG250K2BG | 250 | 12.5 | 20 × 33 | 0.5 × 0.85 | K = 2,800 |
*標準共振周波数は、ギャップ型セラミックコンデンサには適用されません
お客様の希望する仕様に合ったセラミック製品を検索できます。下のタブから希望する製品、仕様を選択してください。
検索結果からスペックシートをダウンロードいただけます。
K=40~50,000の誘電体を使用した単層セラミックコンデンサ。
実装条件や要求仕様に合わせて、幅広いラインナップをご用意しています。
※範囲選択が可能です。
K=16,000を用い、小型ながら高容量値を実現したマルチ電極セラミックコンデンサ。2~4個の電極を1つにまとめました。カスタマイズ品にも対応しています。
ワイヤーボンディングタイプの薄膜チップ抵抗器。AuSn、エポキシダイボンディングに対応しています。最大抵抗定格電力は100mW、サイズは0.4×0.4㎜からご用意しています。
※範囲選択が可能です。
高誘電体を使用した抵抗付セラミックコンデンサ。高耐圧、優れた温度特性を持ち、はんだ付けが可能。また、AuSn、エポキシダイボンディングにも対応しています。
※範囲選択が可能です。
ギャップ型セラミックコンデンサは、長方形の単層コンデンサの表面に2つの電極を配列させたコンデンサです。電極配列面を実装することで直列接続となりワイヤーボンドでのインダクタンスを排除することが可能です。
※範囲選択が可能です。
グラウンドへの接続やワイヤーの長さ調整に使用するグラウンド・ブロック。 セラミックながらインピーダンス特性に優れ、実装時の接着剤の這い上がりを抑制します。高周波、光通信部品との併用も可能です。カスタマイズもご相談下さい。
※範囲選択が可能です。
製品番号 | 仕様書 | 容量値 (pF) | 容量公差 | サイズ (mil/mm) | サイズ公差 (mil/mm) | 厚み (mil/mm) | 厚み公差 (mil/mm) | 定格電圧 | タイプ | 温度特性 |
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03-5765-5400
営業時間 9:00-17:45