テクダイヤ株式会社

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薄膜回路基板

極細回路形成や立体基板への側面回路形成など、お客様任意の回路形成が可能です。
実装ラインを導入することで薄膜回路基板の製作から実装をワンストップで対応いたします。

デザイン一覧

仕様

  単位 アルミナ(Al2O3) 窒化アルミニウム(AlN)
99.6%(標準) 170W/mK(標準)
厚みmm 0.254 / 0.381 / 0.508 / 0.635
(最小: 0.10 最大: 1.30)
厚み公差 mm 0.013
サイズ 最大 mm 10.0 × 10.0
最小 mm 0.25 × 0.25
表面粗さ 表面 Ra μm (μ") Polish 0.025 (0.001) Polish 0.051 (0.002)
裏面 Ra μm (μ") Polish 0.025 (0.001) Polish 0.051 (0.002)
膜構成 電極膜 - Ti - Pt - Au
膜厚 標準 μm Au: 0.10 - 5.00
Pt: 0.15
Ti: 0.06
Au: 0.10 - 3.00
Pt: 0.15
Ti: 0.06
抵抗 抵抗膜 - 窒化タンタル (TaN)
シート抵抗 Ω/sq 25 / 50 / 75 / 100
温度特性 ppm/℃ -100 ± 50
AuSn 組成比 % Au : Sn = 80 : 20 (Nominal)
厚さ μm 3.00 - 7.00
ライン&スペース mm 標準 0.025 / 0.025  最小 0.01 / 0.01
セットバック mm 標準 0.03

*試作サービスの仕様は異なります
*誘電体、フェライト、石英等、その他材料はお問い合わせください
*その他仕様についてもお問い合わせください

材料特性

アルミナ基板

項目 項目 仕様
色調 - White
含有率* % 99.6
密度 g/㎝2 3.88
熱伝導率 W/m・K 26.9
熱膨張係数 X10-6 /℃ 25 ~ 300℃ : 7
25 ~ 600℃ : 7.2
誘電率ε @1MHz 9.9
誘電損失 @1MHz 0.0001
体積固有抵抗 Ω・cm 25℃ : >1.0x1014
100℃ : >1.0x1014
300℃ : >1.0x1014

窒化アルミニウム基板

項目 項目 仕様
色調 - Gray
密度 g/㎝2 3.3
熱伝導率 W/m・K 170
熱膨張係数 X10-6 /℃ 25 ~ 500℃ : 4.6
誘電率ε @1MHz 8.8
誘電損失 @1MHz 0.0001
体積固有抵抗 Ω・cm 25℃ : >1.0x1014

関連サイト

ケーススタディページ(ハイブリッド回路基板製作技術)

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