InP半導体の品質はそのままに、低コスト化が求められていました

InP半導体は高機能・高性能である一方、未だ高コストであるという課題もありました。そこで半導体製造会社はコスト削減のためにInPウェハ1枚当たりのチップ集積率を高くし、コスト削減を図りました。ウェハのストリート幅(切断幅)は100μm以下となり、ウェハのチップサイズは小さいもので170μm×170μm。ストリート幅は狭ければ狭いほどウェハを無駄なく使えるため、狭いストリート幅のウェハを高精度にチップ化することが求められていました。

狭いストリート幅を有するInPウェハに適したダイヤモンドスクライバーを提案

半導体ダイオードに用いられるチップは、発光効率を高めるため両端面を光の方向と垂直かつ滑らかにする必要があります。そのためInPウェハのチップ化ではへき開を活かしたスクライブ工法が主流です。そこでテクダイヤは、ウェハ材料の中でも柔らかいInP(ヌープ硬度460)に適したヒール角度5度のダイヤモンドスクライバーを提案。高精度な加工を施したスクライバーにより加工刃の稜線が電子回路に触れることなくけがき、クラックを上手くコントロール。高精度なチップ化を実現することができました。

5Gフロントホール向けのチップ化工程に採用いただきました

テクダイヤのダイヤモンドスクライバーはInPの他、GaAsやGaN、SiCなど、幅広い素材のカットに対応する形状をラインナップし、またカスタマイズ製作も行います。スクライブ工法での高精度なチップ化をお求めの方、ぜひご相談ください。