要以既存的技術將碳化矽晶圓片晶粒化有重重的困難
SiC(碳化矽)是目前地球上第三硬的化合物。新莫氏硬度為13,僅低於鑽石(新莫氏硬度15)及碳化硼(新莫氏硬度14)。
由於碳化矽硬度極高,若以傳統Dicing進行切割,生產效率極低,同時晶粒品質不佳。
而雷射切割則有粉塵、設備成本極高、光源不穩定等問題。
因此碳化矽晶粒想要從研發階段邁向量產階段,就必須先解決切割技術的問題。
試著以鑽石切割技術來解決這個問題
捷科泰亞以專精的鑽石切割技術試著找出問題的突破口。並同時研發最適合研發中鑽石切割刀的設備。
並對碳化矽晶圓片進行試割後,成功達到量產標準。鑽石切割技術能以高效率生產高品質的碳化矽晶粒。
只有能自行研發生產鑽石切割刀和鑽石切割設備的捷科泰亞,才能解決這個問題。
達成客戶提出的「目標」,及本公司的商品客製化能力
我們成功的將客戶提供的樣品進行切割,並且詢問客戶「最想得到怎樣的結果」並應用本公司的製造技術及客製化能力將其實現。成為採用最大的重點。
鑽石切割價格低於雷射切割,同時生產效率與品質遠高於傳統Dicing,最適合進行SiC晶粒的大規模生產。
在本公司內進行試割成功,今後也將隨SiC元件市場的擴大共同成長。
*有關切割設備的諮詢請洽株式会社くまさんメディクス
【客戶業別】電機機械・輸送用設備・電力相關
【業務內容】製造電子零件
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