お知らせ

展示会「オプティカルファイバーコミュニケーションEXPO（OFC 2011）」（アメリカ、カリフォルニア州ロサンゼルス）、ブース2211にて、セラミック単板キャパシター、高誘電体セラミック単板キャパシター 「ALTAS（アルタス）」、チップ ・ キャパシター ・ レジスター「IRC」、アルミナ薄膜回路基、受託生産（CM）事業他を出展しました。
http://www.ofcnfoec.org/

事業拡張に伴い、上海駐在員事務所は［Tecdia Co., Ltd. Shanghai］の社名で現地法人化し、上海シティーセンター タワーA 1006室から910室に移転しました。

展示会「第40回インターネプコン・ジャパン」にて精密ノズル「アルク(ARQUE)」、スクライブ装置、ブレーク装置他を出展しました。
http://www.nepcon.jp/

展示会「マイナビ就職EXPO : インテックス大阪」に出展しました。
http://job.mynavi.jp/conts/event/2012/expo/osaka_sci/index.html

展示会「マイクロウェーブ展 2010」にて、セラミック単板キャパシタ、超高誘電体セラミック単板キャパシタ「ALTAS（アルタス）」、アルミナ薄膜回路基板、チップレジスタ、BIAS-T、DCボード他を出展しました。
http://apmc-mwe.org/MicrowaveExhibition2010/

事業拡張に伴い、テクダイヤ本社はサンシャイン60ビル 20階から46階に移転しました。

展示会「オプティカルファイバーコミュニケーションEXPO（OFC 2010）」（アメリカ、カリフォルニア州サンディエゴ）、ブース1849にて、セラミック単板キャパシタ、高誘電体セラミック単板キャパシタ「ALTAS（アルタス）」、キャパシタ+レジスタ「IRC」、アルミナ薄膜回路基、受託生産（CM）事業他を出展しました。
http://www.ofcnfoec.org/

弊社マイクロ波技術部製品のBias-T、P/N: TBT-H06M20が、米国Cree社から同社のハイパワーと広帯域GaN HEMT MMIC (25W、20MHz～6GHｚ）、P/N: CMPA0060025Fのパワーアンプの評価テスト用のBias-Tとして採用されました。

弊社マイクロ波技術部製品のGaN FET用DC Power Board、P/N: TGS-1025シリーズをリリースしました。
GaN FETに適用するパワーボードで、DC/ DCコンバーター、出力調節、TTL、シークエンスコントロール機能を備えています。
本商品は、単電源入力でドレイン出力24～50Vdc / 15A Maxが選べ、ゲート出力は固定 -5V / 200mA Maxが供給できます。

展示会「第10回ファイバーオプティクスEXPO（FOE2010)」にて、高誘電体セラミック単板キャパシタ「ALTAS（アルタス）」、受託生産（CM)事業、高精度ディスペンスノズル「ARQUE（アルク）」他を出展しました。
http://www.foe.jp