お知らせ

展示会「MTT-S International Microwave Symposium 2010」（アメリカ、カリフォルニア州アナハイム）、ブース1511にて、セラミック単板キャパシタ、高誘電体セラミック単板キャパシタ「ALTAS（アルタス）」、GaNデバイス向けのバイアスTやDCパワーボード他を出展しました。
http://www.ims2010.org/

事業拡張に伴い、テクダイヤ本社はサンシャイン60ビル 20階から46階に移転しました。

展示会「オプティカルファイバーコミュニケーションEXPO（OFC 2010）」（アメリカ、カリフォルニア州サンディエゴ）、ブース1849にて、セラミック単板キャパシタ、高誘電体セラミック単板キャパシタ「ALTAS（アルタス）」、キャパシタ+レジスタ「IRC」、アルミナ薄膜回路基、受託生産（CM）事業他を出展しました。
http://www.ofcnfoec.org/

弊社マイクロ波技術部製品のBias-T、P/N: TBT-H06M20が、米国Cree社から同社のハイパワーと広帯域GaN HEMT MMIC (25W、20MHz～6GHｚ）、P/N: CMPA0060025Fのパワーアンプの評価テスト用のBias-Tとして採用されました。

弊社マイクロ波技術部製品のGaN FET用DC Power Board、P/N: TGS-1025シリーズをリリースしました。
GaN FETに適用するパワーボードで、DC/ DCコンバーター、出力調節、TTL、シークエンスコントロール機能を備えています。
本商品は、単電源入力でドレイン出力24～50Vdc / 15A Maxが選べ、ゲート出力は固定 -5V / 200mA Maxが供給できます。

展示会「第10回ファイバーオプティクスEXPO（FOE2010)」にて、高誘電体セラミック単板キャパシタ「ALTAS（アルタス）」、受託生産（CM)事業、高精度ディスペンスノズル「ARQUE（アルク）」他を出展しました。
http://www.foe.jp

展示会「第39回インターネプコン・ジャパン」にて精密ノズル「アルク(ARQUE)」、スクライブ装置、ブレーク装置他を出展しました。
http://www.nepcon.jp/

ケーススタディページに、「スクライブカットによるメサ型ストリート基板のチップ化」ページを追加しました。

ケーススタディページに、「抵抗付セラミックコンデンサ　IRC(インテグレーティッド・レジスター・キャパシター) 」ページを追加しました。

展示会「オプティカルファイバーコミュニケーションEXPO（OFC 2009）」ブース605にて、セラミック単板キャパシタ、高誘電体セラミック単板キャパシタ「ALTAS（アルタス）」、アルミナ薄膜回路基板、波長可変フィルタ「Tunable Mirror（チューナブルミラー）」他を出展しました。
http://www.ofcnfoec.org/